Физика. файловый архив спбгэту
Кафедра физической электроники появилась на факультете физики в 1963 году. Первым руководителем и ее фактическим создателем был доктор физико-математических наук, профессор Иоганн Моисеевич Бронштейн . Его учениками являются многие нынешние руководители нашего университета. На кафедре было организовано 4 научные лаборатории: эмиссионной электроники, физики плазмы, физики высокоомных полупроводников и физики диэлектриков, возглавляемые такими крупными специалистами, как Валерий Александрович Извозчиков , Геннадий Алексеевич Бордовский , Борис Афанасьевич Тазенков , В.М. Гольдфарб . На базе этих лабораторий выросли целые научные школы, известные не только в России, но и во всем мире. Научные разработки сотрудников кафедры внесли огромный вклад в развитие как фундаментальной, так и прикладной науки нашей страны.
Очень многое было сделано в созданной Иоганном Моисеевичем лаборатории эмиссионной электроники. С его легкой руки в нашем институте стали изготавливать сложнейшие сверхвысоковакуумные приборы, аналогов которым не было в мире, разрабатывались и реализовывались уникальные эксперименты и технологии, получившие мировое признание. В области теории вторично-эмиссионных явлений И.М.Бронштейн до сих пор остается бесспорным мировым авторитетом, а монография И.М. Бронштейна и Б.С. Фраймана «Вторичная электронная эмиссия» остается настольной книгой тех, кто занимается теорией эмиссионных свойств и разработкой электронно-лучевых технологий.
Основные достижения кафедры по исследованию сегнетоэлектрических явлений связаны с именем профессора, доктора физико-математических наук , который возглавил кафедру в 1978 году. В рамках созданной им лаборатории по изучению физики сегнетоэлектриков было организовано проведение выдающихся экспериментальных работ в этом направления, которые по достоинству были оценены большинством отечественных и зарубежных ученых. При этом и другие научные направления кафедры продолжали активно развиваться. Э.В. Бурсиан активно способствовал созданию и развитию учебных курсов, ориентированных на внедрение компьютерных технологий, обеспечивая им как организационную, так и научно методическую поддержку.
На кафедре также были развернуты масштабные исследования оптоэлектронных процессов в высокоомных неупорядоченных кристаллических и стеклообразных полупроводниках, проводимых в лаборатории высокоомных полупроводников под руководством академика РАО, доктора физ.-мат. наук, профессора Бордовского Г.А. В частности, одно из основных направлений исследований лаборатории — изучение процессов переноса и накопления зарядов в системе фотоэлектрически активных материалов класса халькогенидных стекол является современным развивающимся научным направлением решения задач теоретического и практического характера.
С 1998 года заведующим кафедрой физической электроники является профессор доктор физико-математических наук Самуил Давидович Ханин . Под его руководством была создана новая лаборатория компонентов и материалов твердотельной электроники, которая объединилась с лабораторие физики сегнетоэлектриков. Новым направлением научной работы стало исследование электронных процессов в сильно неупорядоченных системах, в частности электронно- и ионно-стимулированных явлений в слоях оксидов переходных металлов а также фазовых переходов «металл — диэлектрик» и «металл-полупроводник» в поликристаллических и аморфных оксидах переходных металлов. Результаты этих исследований находятся на переднем крае физики структурно-разупорядоченных и сильно неоднородных материалов в части представлений о процессах в электронной и атомно-ионной системах и их взаимосвязи.
В 2018 года кафедру физической электроники возглавил доктор физ.- мат. наук, профессор Александр Владимирович Колобов . А.В. Колобов начал свою научную деятельность в 1979 в ФТИ им. Иоффе а лаборатории профессора Б.Т. Коломийца после окончания кафедры оптоэлектроники ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина). В разные периоды своей работы стажировался и работал в Кембриджском университете, Высшей школе индустриальной физики и химии Парижа, Левенском католическом университете, Университете Монпелье. С 1994 года работал в Национальном институте передовой индустриальной науки и технологии в Цукубе, Япония; последние 10 лет в должности главного научного сотрудника (prime senior researcher). Научные интересы профессора А.В. Колобова включают аморфные и стеклообразные полупроводники, фазопеременные материалы, оптическая и электронная память на фазопеременных материалах, двумерные полупроводники, использование синхротронного излучения для анализа структуры материалов, расчет свойств материалов из первых принципов. А. В. Колобов является автором более 250 научных трудов, опубликованных в ведущих международных журналах, в том числе трех монографий.
Физическую школу университета основали блестящие ученые и организаторы - профессора О. Д. Хвольсон, автор классического курса, изданного в России, Франции и Германии, А. С. Попов, изобретатель радио и первый выборный директор института, В. В. Скобельцын, М. М. Глаголев, создатель первой в вузах страны электровакуумной лаборатории.
Их последователю - видному физику А. Г. Граммакову вместе с группой коллег в 70-х годах выдан диплом на открытие о распространении гелия в земной коре.
Аппаратура, разработанная профессором Г. И. Рекаловой и доцентом И. А. Войцеховской применялась для создания приборов, которые способны регистрировать инфракрасное излучение. Под руководством доцента В. А. Вербицкого созданы приборы для бесконтактного измерения температуры различных объектов.
Важные научные и практические результаты получены физическим методом, основанным на явлении электронного парамагнитного резонанса, развитие которого на кафедре - заслуга профессора А. М. Белоногова.
Несколько позднее возник ряд новых научных направлений в области электродинамики движущихся сред, возглавляемых профессором К. А. Барсуковым.
Исторически научные направления кафедры физики ЛЭТИ всегда отличались ориентацией на те фундаментальные направления физики, которые находили применения в решении инженерных и технических задач, стоящих перед ЛЭТИ. Тематика научных исследований кафедры физики тесно связана с общими базовыми направлениями научных исследований и подготовки кадров ЛЭТИ - разработка систем и материалов для автоматики, электроники, микроэлектроники и радиотехники, анализ и применение свойств новых перспективных материалов в оптическом, СВЧ и ИК диапазонах.
В соответствии с тематикой кафедры физики исследования, как правило, носят фундаментальный характер, причем для использования инструментальной базы и для практических применений в научном приборостроении кафедра сотрудничает с выпускающими кафедрами ЛЭТИ.
Научно-методические и аппаратурные разработки кафедры физики используются в исследовательских институтах и предприятиях в Российской Федерации и за рубежом для научных исследований и контроля технологических процессов.
Сегодня на кафедре работают 62 сотрудника, из них 37 преподавателей. Профессоров -4, доцентов -24, научных сотрудников -4, аспирантов - 6. Кафедра физики обеспечивает курс «общей физики» для всех технических факультетов ЛЭТИ. Ежедневно через учебные лаборатории кафедры проходит от 300 (в весеннем семестре) до 650 (в осеннем семестре) студентов.
Заведующий кафедрой д.т.н., профессор Чирцов Александр Сергеевич
Соколов Александр Иванович
Краткая научная биография
Образование, ученые степени и звания:
- 1962 г. – средняя школа № 3 Всеволожского района Ленинградской области, золотая медаль.
- 1969 г. – Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), кафедра радиосистем, диплом с отличием.
- 1972 г. – кандидат физико-математических наук.
- 1976 г. – старший научный сотрудник.
- 1985 г. – доктор физико-математических наук.
- 1987 г. – профессор.
- "Акустотепловой эффект, акустоэлектрический эффект и нелинейное поглощение звука в твердых телах в гидродинамической области", ЛЭТИ, 1972 г.
- "Ренормализационная группа, критические явления и диаграммы состояний анизотропных систем", ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, 1984 г.
Основное место работы:
- 1969 - 1972 гг. – аспирант кафедры электронно-ионной и вакуумной технологии (ЭИВТ) ЛЭТИ.
- 1972 - 1974 гг. – младший научный сотрудник кафедры ЭИВТ ЛЭТИ.
- 1974 - 1979 гг. – старший научный сотрудник кафедры ЭИВТ ЛЭТИ.
- 1979 - 1986 гг. – доцент кафедры физической электроники и оптико-электронных приборов (ФЭОП) ЛЭТИ.
- 1986 - 2011 гг. – профессор кафедры физической/квантовой электроники и оптико-электронных приборов (ФЭОП/КЭОП) СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
- С 2011 г. – профессор кафедры квантовой механики Санкт-Петербургского государственного университета.
- 1997 - 2002 гг. – профессор кафедры физики СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
- 2002 - 2011 гг. – профессор кафедры статистической физики СПбГУ.
- 2011-2014 гг. – профессор кафедры КЭОП СПбГЭТУ «ЛЭТИ».
- С 2011 г. – профессор кафедры ФиТН СПб Академического университета – Научно-образовательного центра нанотехнологий РАН.
- СПбГУ – «Квантовая механика», «Физика твердого тела», «Коллективные явления в твердых телах», «Современные проблемы квантовой физики». Ранее в СПбГУ читал курсы «Критические явления в анизотропных системах» и «Основы квантовой механики».
- СПбАУ – «Коллективные явления в конденсированных средах», «Квантовая информатика».
- СПбГЭТУ «ЛЭТИ» – ранее в ЛЭТИ читал курсы «Квантовая механика и статистическая физика» (общефакультетский), «Физика твердого тела» (общефакультетский), «Физические основы электронной техники» (общефакультетский), «Физика и оптика материалов фото-энергетики», «Фазовые переходы», «Сверхпроводимость», «Физика наносистем».
- DAAD (ФРГ) – исследовательский грант 1992 г.
- Минобразования и Миннауки РФ – гранты 93-7.1-51, 94-7.17-351, 97-14.2-16, Е00-3.2-132, Е02-3.2-266, А03-2.9-227.
- Международный научный фонд (МНФ) – грант 1993 г., travel grant 1994 г., персональные гранты ISSEP 1998, 1999, 2000 и 2001 гг.
- РФФИ – гранты 01-02-17048, 04-02-16189, 07-02-00345, 13-02-12096 офи_м, 15-02-04687.
- ISSEP и Администрация Санкт-Петербурга – персональные гранты 2002 и 2003 гг.
- ФП «Интеграция науки и высшей школы», проект А 150.
- ГНТП «Актуальные направления в физике конденсированных сред», направление «Фуллерены и атомные кластеры», проект 94024.
- Индивидуальные гранты Минобразования РФ, РФФИ, МНФ и Администрации Санкт-Петербурга для молодых сотрудников научной группы (более 20).
А. Л. Корженевский (1979), Б. Н. Шалаев (1982), И. О. Майер (1990), А. Г. Селицкий (1990), С. А. Антоненко (1995), К. Б. Варнашев (2002), Д. В. Пахнин (2006).
Работа за рубежом:
- 1992 – Ядерный центр Карлсруэ, ФРГ, 6 недель
- 2002 – Федеральная политехническая школа, Лозанна, Швейцария, 1 месяц
- 2002 – Высшая нормальная школа, Пиза, Италия, 1 месяц
- 2003 – Высшая нормальная школа, Пиза, Италия, 1 месяц
- 2005 – Федеральная политехническая школа, Лозанна, Швейцария, 2 месяца.
- Рецензент журналов «Физика твердого тела», Physical Review B, Physical Review E, Physical Review Letters, «Теоретическая и математическая физика», Physica B.
- Член независимого «Корпуса экспертов» .
- Работа в консультативном совете редколлегии журнала "Fullerene Science and Technology" – 1997-1998 гг.
- Член редколлегии журнала ”Journal of Physical Studies”.
- Работа в диссертационных советах Д 002.205.01 (ФТИ им. А.Ф. Иоффе) и Д 212.238.08 (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»).
- «Лучший лектор» – приказ ректора ЛЭТИ (по результатам студенческого анкетирования 1987-1988 гг.).
- «Соросовский профессор» – МНФ/ ISSEP, 1998, 1999, 2000, 2001 гг.
- «Профессор-2002», «Профессор-2003», «Профессор-2004» – ISSEP и Администрация Санкт-Петербурга.
- Медаль «В память 300-летия Санкт-Петербурга» – указ Президента Российской Федерации от 19 февраля 2003 г.
- «Почетный работник высшего профессионального образования» – Минобразования РФ, 2006 г.